[发明专利]热致发声器阵列的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210471232.6 申请日: 2012-11-20
公开(公告)号: CN103841506B 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 魏洋;林晓阳;姜开利;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H04R31/00 分类号: H04R31/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种热致发声器阵列的制备方法,其包括以下步骤(a)提供一基底,所述基底包括一表面,在该基底的表面定义多个单元格子;(b)在所述基底的表面每一单元格子内形成多个平行且间隔设置的凹槽;(c)在所述基底的表面每一单元格子内形成至少一第一电极及至少一第二电极,任意相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽;(d)在所述基底的表面贴附一热致发声元件,并使所述热致发声元件覆盖每一单元格子,且与所述每一单元格子中的第一电极及第二电极电连接,所述热致发声元件在每一单元格子中的多个凹槽位置悬空;以及(e)按照所述多个单元格子分割所述热致发声元件,使相邻单元格子的热致发声元件之间电绝缘。该热致发声器阵列的制备方法可方便的一次形成多个的热致发声器单元,工艺简单。
搜索关键词: 发声器 阵列 制备 方法
【主权项】:
一种热致发声器阵列的制备方法,其包括以下步骤:(a)提供一基底,所述基底包括一表面,在该基底的表面定义多个单元格子;(b)在所述基底的表面每一单元格子内形成多个平行且间隔设置的凹槽;(c)在所述基底的表面每一单元格子内形成至少一第一电极及至少一第二电极,任意相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽;(d)在所述基底的表面贴附一热致发声元件,并使所述热致发声元件覆盖每一单元格子,且与所述每一单元格子中的第一电极及第二电极电连接,所述热致发声元件在每一单元格子中的多个凹槽位置悬空;以及(e)按照所述多个单元格子分割所述热致发声元件,使相邻单元格子的热致发声元件之间电绝缘。
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