[发明专利]热致发声器阵列有效
申请号: | 201210471286.2 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN103841504B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 魏洋;林晓阳;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H04R23/00 | 分类号: | H04R23/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种热致发声器阵列,其包括一基底,该基底具有一表面,在该基底的表面设置有多个热致发声器单元;每个热致发声器单元进一步包括多个相互平行且间隔设置的凹槽设置于所述基底的表面;至少一第一电极与至少一第二电极间隔设置,相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽;一热致发声元件贴附于基底所述表面且与所述至少一第一电极与至少一第二电极电连接,所述热致发声元件在所述多个凹槽位置悬空设置。 | ||
搜索关键词: | 发声器 阵列 | ||
【主权项】:
一种热致发声器阵列,其特征在于,包括:一基底,该基底为硅基底,该基底具有一表面,在该基底的表面设置有多个热致发声器单元;每个热致发声器单元进一步包括:多个相互平行且间隔设置的凹槽设置于所述基底的表面;至少一第一电极与至少一第二电极间隔设置,相邻的第一电极与第二电极之间具有至少一凹槽;一热致发声元件贴附于基底所述表面且与所述至少一第一电极与至少一第二电极电连接,所述热致发声元件在所述多个凹槽位置悬空设置。
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