[发明专利]耳机有效

专利信息
申请号: 201210471291.3 申请日: 2012-11-20
公开(公告)号: CN103841483B 公开(公告)日: 2018-03-02
发明(设计)人: 魏洋;林晓阳;姜开利;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H04R1/10 分类号: H04R1/10;H04R23/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种耳机,其包括一耳机头,所述耳机头包括一壳体以及一热致发声装置,所述热致发声装置设置于所述壳体内;一信号处理器,所述信号处理器通过连接线与所述耳机头相连接;一音频信号输入接口,所述音频信号输入接口与所述信号处理器电连接以输入音频信号;其中,所述耳机进一步包括一电源输入接口,所述电源输入接口与所述信号处理器电连接提供驱动电压;所述热致发声装置包括一硅基底以及一热致发声元件设置于硅基底表面并部分悬空设置。
搜索关键词: 耳机
【主权项】:
一种耳机,其包括:一耳机头,所述耳机头包括一壳体以及一热致发声装置,该热致发声装置设置于所述壳体内;一信号处理器,所述信号处理器输出信号给所述热致发声装置;以及一音频信号输入接口和一驱动信号输入接口,所述音频信号输入接口和所述驱动信号输入接口分别与所述信号处理器电连接,分别输入音频信号与驱动信号给信号处理器;所述热致发声装置进一步包括一基底,所述基底具有一表面,该表面形成有多个凹槽;以及一热致发声元件设置于所述基底的该表面并覆盖所述多个凹槽,对应凹槽位置处的热致发声元件悬空设置,所述基底为硅基底,所述凹槽的深度为100微米至200微米,其特征在于,所述热致发声元件与所述硅基底通过一绝缘层绝缘,所述绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层以及一第三绝缘层;所述第一绝缘层及第二绝缘层为一不连续的结构,且依次层叠贴附于所述凹槽之间的凸部的顶面,第三绝缘层为一连续的层状结构,且贴附于所述第二绝缘层的表面以及所述凹槽的底面及侧面。
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