[发明专利]一种发光二极管激光刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210472579.2 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102931299B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王磊;李国琪;余志炎 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/364;B23K26/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管激光刻蚀方法，所述方法用于进行集成式发光二极管的隔离沟槽的刻蚀，所述方法包括按照预定尺寸用于制造所述集成式发光二级管的外延片表面制作沟槽图形；通过激光划刻设备按照沟槽图形对所述外延片的外延层进行沟槽的划刻，直到沟槽达到外延片的衬底；在沟槽中形成介质绝缘层。本发明还公开了利用激光刻蚀的集成式发光二极管制造方法。本发明通过利用激光划刻设备来进行集成式发光二极管的隔离沟槽刻蚀，不需要生长很厚的掩模层，减小了隔离沟槽形成时间，减小了工序长度，提高了产品的良率，大大降低了产品成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 激光 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管激光刻蚀方法，用于进行集成式发光二极管的隔离沟槽的刻蚀，所述方法包括：按照预定尺寸在用于制造所述集成式发光二级管的外延片表面制作沟槽图形，其中沟槽图形为在外延片表面做出的深度很浅的划槽；通过激光划刻设备按照沟槽图形对所述外延片的外延层进行沟槽的划刻，直到沟槽达到外延片的衬底；在进行沟槽划刻前，在所述外延片的外延层上形成保护层；在进行沟槽划刻后，对划刻形成的沟槽进行湿法腐蚀；所述对划刻形成的沟槽进行湿法腐蚀包括：利用按体积比3:1混合的浓硫酸和浓磷酸的混合液，在250℃温度下对划刻形成的沟槽进行腐蚀。
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