[发明专利]包含铅‑碲基氧化物的导电组合物在具有轻掺杂发射器的半导体装置的制造中的用途

摘要

本发明涉及包含铅‑碲基氧化物的导电组合物在具有轻掺杂发射器的半导体装置的制造中的用途，具体提供一种用于使用厚膜导电浆料组合物在诸如光伏电池的硅半导体装置上形成电极的方法，所述半导体装置包含轻掺杂发射器。所述厚膜浆料包括分散在有机介质中的导电金属的源和Pb‑Te基氧化物。本发明还提供通过所述方法制备的装置和包括轻掺杂发射器和由所述厚膜导电浆料组合物形成的电极的光伏电池。

主权项

一种用于在包含轻掺杂发射器的硅半导体基板上形成电极的方法，所述方法包括：(a)提供承载结点的硅半导体基板，所述基板具有前侧表面和后侧表面面，并且包括设置在至少所述硅半导体基板的所述前侧表面上的一个或多个绝缘膜以及在所述硅半导体基板的所述前侧表面处的轻掺杂发射器；(b)将厚膜导电浆料组合物施用到所述一个或多个绝缘膜的至少一部分上以形成层状结构，所述厚膜导电浆料组合物包含：i)80‑99.5重量％的导电金属；ii)0.5‑20重量％的Pb‑Te基氧化物；和iii)有机介质，其中所述导电金属和所述Pb‑Te基氧化物分散在所述有机介质中，并且上述重量％是基于所述导电金属和所述Pb‑Te基氧化物的总重量计的；所述Pb‑Te基氧化物包含30‑75重量％的PbO和25‑70重量％的TeO2，其中所述Pb‑Te基氧化物中氧化物的重量％是基于所述Pb‑Te基氧化物的总重量计的，并且所述Pb‑Te基氧化物中氧化物的总量为100重量％；以及(c)焙烧所述硅半导体基板、所述一个或多个绝缘膜和所述厚膜导电浆料组合物，其中所述厚膜导电浆料组合物的所述有机介质挥发，从而形成与所述一个或多个绝缘层接触且与所述硅半导体基板电接触的电极。