[发明专利]发光二极管制造方法有效
| 申请号： | 201210474650.0 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103840037A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层覆盖凸出部的顶部区域；在未掺杂GaN层表面自组织成长多个岛状半导体区域，所述岛状半导体区域之间形成有间隙以暴露出未掺杂GaN层的部分表面；在暴露的未掺杂GaN层的表面成长n型GaN层，所述n型GaN层覆盖所述多个岛状半导体区域；在n型GaN层表面成长活性层；以及在活性层表面成长p型GaN层。在上述方法中，通过在未掺杂GaN层表面自组织成长多个岛状半导体区域，所述多个岛状半导体区域覆盖在缺陷聚集的区域并防止缺陷向上延伸从而降低晶体缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层覆盖凸出部的顶部区域；在未掺杂GaN层表面自组织成长多个岛状半导体区域，所述岛状半导体区域之间形成有间隙以暴露出未掺杂GaN层的部分表面；在暴露的未掺杂GaN层的表面成长n型GaN层，所述n型GaN层覆盖所述多个岛状半导体区域；在n型GaN层表面成长活性层；以及在活性层表面成长p型GaN层。
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