[发明专利]分栅式闪存及其形成方法

摘要

一种分栅式闪存，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的字线，位于所述字线两侧的两个分立的存储位单元，所述两个存储位单元与字线之间具有隧穿氧化层；所述存储位单元包括位于所述半导体衬底表面的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层表面的浮栅，位于所述浮栅表面的第二绝缘层，位于所述第二绝缘层表面的控制栅和覆盖所述浮栅、控制栅的侧墙结构；所述浮栅包括第一浮栅和第二浮栅，所述第一浮栅与字线的间距大于所述第二浮栅与字线的间距。由于第一浮栅与字线的间距比现有技术的大，使得所述浮栅和字线之间的耦合电容比现有技术的小，使得字线和浮栅之间的耦合电容尽可能的小，从而改进了闪存的擦除和读写的效率。

主权项

一种分栅式闪存，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的字线，位于所述字线两侧的两个分立的存储位单元，所述两个存储位单元与字线之间具有隧穿氧化层，位于其中一个存储位单元远离字线一侧的半导体衬底内的源极，位于另一个存储位单元远离字线一侧的半导体衬底内的漏极；所述存储位单元包括位于所述半导体衬底表面的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层表面的浮栅，位于所述浮栅表面的第二绝缘层，位于所述第二绝缘层表面的控制栅和覆盖所述浮栅、控制栅的侧墙结构；所述浮栅包括第一浮栅和第二浮栅，所述第一浮栅靠近字线的侧壁与字线的间距大于所述第二浮栅靠近字线的侧壁与字线的间距。