[发明专利]半导体制造装置及半导体制造方法有效
| 申请号： | 201210477226.1 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103137415A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 申平洙;金秉勳 | 申请（专利权）人： | PSK有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘宗杰;钟锦舜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制造装置及半导体制造方法，能够在蚀刻工艺执行时，提高氮化膜的蚀刻选择比。在本发明的半导体制造装置中，在工艺腔室外部由二氟甲烷CH2F2、氮气N2以及氧气O2气体产生等离子体，将产生的等离子体供给到工艺腔室内。根据本发明，无需变更源气体，通过调节氧气的供给量及卡盘的温度，能够将氮化硅膜相对于氧化硅膜的蚀刻选择比与氮化硅膜相对于多晶硅膜的蚀刻选择比的相对大小调节成相反。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造方法，用于蚀刻在基板上形成的氮化膜，其中，在工艺腔室中所形成的基座上放置基板，在所述工艺腔室的外部由第1源气体产生等离子体，将所述等离子体供给到所述工艺腔室，所述第1源气体包含二氟甲烷CH2F2、氮气N2以及氧气O2，在工艺进行的途中，变更所述氧气的供给量或所述工艺腔室的温度。
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