[发明专利]一种原子层沉积设备

摘要

本发明涉及微电子器件制造技术领域，具体涉及一种原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括腔室和直流电源，所述腔室内设有加热盘及设置在所述加热盘上的匀热盘，所述匀热盘上设有绝缘导热层，所述绝缘导热层上设有导电盘，所述导电盘通过电线与所述直流电源的正极连接。本发明是在薄膜的表面垂直的方向上加上一直流电压，由于电场的方向与薄膜形成势的方向相反，抑制薄膜表面的成核形成能，阻止了薄膜原子在整个ALD过程中在表面的移动成核，从而实现二维薄膜的生长。

主权项

一种原子层沉积设备，其特征在于：包括腔室和直流电源，所述腔室内设有加热盘及设置在所述加热盘上的匀热盘，所述匀热盘上设有绝缘导热层，所述绝缘导热层上设有导电盘，所述导电盘通过电线与所述直流电源的正极连接。