[发明专利]一种PSS图形化衬底刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210478543.5 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103840039A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 高福宝 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种PSS图形化衬底刻蚀方法，所述方法包括：对衬底进行主刻蚀；其中，所述主刻蚀包括第一步刻蚀和第二步刻蚀；以第一工艺气压、第一刻蚀气体流量、第一上电极射频功率、以及第一下电极射频功率，对衬底进行第一步刻蚀；判断光刻胶是否开始收缩，若是，则结束所述第一步刻蚀；若否，则继续所述第一步刻蚀，重复所述判断直至所述光刻胶开始收缩；然后，以第二工艺气压、第二刻蚀气体流量、第二上电极射频功率、以及第二下电极射频功率，对衬底进行第二步刻蚀；其中，所述第二工艺气压小于所述第一工艺气压；对衬底进行过刻蚀；结束刻蚀。通过该PSS刻蚀方法，可以抑制底宽的大量增加，提高GaN外延的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pss 图形 衬底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种PSS图形化衬底刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：对衬底进行主刻蚀；其中，所述主刻蚀包括第一步刻蚀和第二步刻蚀；以第一工艺气压、第一刻蚀气体流量、第一上电极射频功率、以及第一下电极射频功率，对衬底进行第一步刻蚀；判断光刻胶是否开始收缩，若是，则结束所述第一步刻蚀；若否，则继续所述第一步刻蚀，重复所述判断直至所述光刻胶开始收缩；在第一步刻蚀结束之后，以第二工艺气压、第二刻蚀气体流量、第二上电极射频功率、以及第二下电极射频功率，对衬底进行第二步刻蚀；其中，所述第二工艺气压小于所述第一工艺气压；对衬底进行过刻蚀；结束刻蚀。
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