[发明专利]太阳能电池性能的改进方法及其结构

摘要

本发明公开了太阳能电池性能的改进方法及其结构，具体的是公开了一种提高微晶硅单节薄膜电池以及非晶微晶叠层电池的填充因子以及改善其温度系数的方法，所述方法在微晶PIN结构中的复合P型掺杂层中，插入5nm~10nm的微晶P型SiOx薄膜，形成复合P型掺杂层。相应的，还提供采用本发明的方法形成的微晶硅单节薄膜电池以及非晶微晶叠层电池结构。本发明的方法以及太阳电池结构可以改善微晶硅电池在粗糙衬底上生长的致密性，有效减少微晶电池的漏电，因此可以明显提高组件的并联电阻，从而提高组件的填充因子，开路电压和功率温度系数。

主权项

一种提高微晶硅单节薄膜电池填充因子及改善其温度系数的方法，该方法包括以下步骤：提供一衬底（100），在所述衬底（100）上形成第一透明导电氧化物层（200）；在所述第一透明导电氧化物层（200）上形成微晶硅PIN结（400），所述微晶硅PIN结（400）包括：复合P型掺杂层（410），微晶硅本征吸收层（420）和微晶N型掺杂层（430）；在所述微晶硅PIN结（400）上形成第二透明导电氧化物层（500）；其特征在于，在所述复合P型掺杂层（410）中形成微晶P型SiOx层（412），所述复合P型掺杂层（410）依次包括：第一微晶P型掺杂层（411），微晶P型SiOx层（412）和第二微晶P型掺杂层（413）。