[发明专利]光器件晶片的加工方法有效

专利信息
申请号: 201210479086.1 申请日: 2012-11-22
公开(公告)号: CN103128440A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 森数洋司 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: B23K26/00 分类号: B23K26/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供光器件晶片的加工方法,破坏光器件晶片的缓冲层,该光器件晶片在外延基板的表面经由缓冲层层叠光器件层,并在表面具有形成了多个光器件的光器件区域和围绕该光器件区域的外周剩余区域,且该光器件晶片是将该光器件层经由接合金属层接合到移设基板而成的,该光器件晶片的加工方法包括:缓冲层破坏步骤,从外延基板侧向缓冲层照射相对于外延基板具有透过性且相对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线,来破坏缓冲层,该缓冲层破坏步骤包括:第一激光光线照射步骤,完全地破坏与光器件区域对应的缓冲层;以及第二激光光线照射步骤,不完全地破坏与外周剩余区域对应的缓冲层。
搜索关键词: 器件 晶片 加工 方法
【主权项】:
一种光器件晶片的加工方法,破坏光器件晶片的缓冲层,该光器件晶片在外延基板的表面经由缓冲层层叠光器件层,并在表面具有形成了多个光器件的光器件区域和围绕该光器件区域的外周剩余区域,且该光器件晶片是将该光器件层经由接合金属层接合到移设基板而成的,该光器件晶片的加工方法的特征在于包括:晶片保持步骤,在激光加工装置的卡盘台上保持与光器件晶片接合的移设基板侧;以及缓冲层破坏步骤,从外延基板侧向缓冲层照射脉冲激光光线来破坏缓冲层,其中,该脉冲激光光线的波长相对于外延基板具有透过性且相对于缓冲层具有吸收性,该缓冲层破坏步骤包括:第一激光光线照射步骤,完全地破坏与光器件区域对应的缓冲层;以及第二激光光线照射步骤,不完全地破坏与外周剩余区域对应的缓冲层。
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