[发明专利]一种新型真空高压铜铬系触头材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210479659.0 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN102943189A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 王成磊;高原;徐晋勇;张光耀;蔡航伟;马志康 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: C22C9/00 分类号: C22C9/00;C22C1/02;H01H1/025
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 巢雄辉
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种新型真空高压铜铬系触头材料的制备方法,它是将冶金熔炼的铜-铬合金,利用激光束快速扫描铜-铬合金表面,进行表面重熔,制备出晶粒细小,均匀弥散的呈颗粒状铬合金的新型触头材料。采用该方法制作的铜铬系触头致密度高,均匀性好,结合强度高,杂质含量低,能有效地提高真空开关的可靠性。
搜索关键词: 一种 新型 真空 高压 铜铬系触头 材料 制备 方法
【主权项】:
一种新型真空高压铜铬系触头材料的制备方法,其特征是:包括如下步骤:(1)首先将铜粉和铬粉按一定比例混合,用料重量百分比为铜︰铬=45~90%︰10~55%,采用冶金熔炼的方法,形成铜‑铬合金,并在上述冶金熔炼过程中加入钨、钼、钽、铌、锆、钛、锑、碲、铋、锌、锡或稀土金属中至少一种,加入量为0.01%~0.5%,作为脱氧剂和细化剂,或者不加;(2)冷却后,采用激光束快速扫描铜‑铬合金表面,实施重熔。
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