[发明专利]一种激光薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210480267.6 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN102965614A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 王占山;程鑫彬;沈正祥;张锦龙;马彬;丁涛;焦宏飞 申请(专利权)人: 同济大学
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/08;C23C14/30;C23C14/58
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 张磊
地址: 200092 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种激光薄膜的制备方法,属于薄膜光学技术领域。该方法的步骤为熔石英基板的冷加工、熔石英基板的氢氟酸刻蚀、熔石英基板的超声波清洗、熔石英基板的真空离子束清洗、在熔石英基板上制备薄膜、缺陷后处理。实验证明,采用本发明可以从激光薄膜制备的整个工艺流程上有效控制缺陷的产生,使激光薄膜的缺陷密度下降了一个数量级,将激光薄膜的整体损伤阈值提高3倍,可以与现有的基板加工、清洗及薄膜制备工艺兼容。具有工艺重复性好、可控性强、效果明显等优点,完全可以应用于未来的高功率激光薄膜领域。
搜索关键词: 一种 激光 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种激光薄膜的制备方法,其特征在于具体步骤如下:(1)基板的浮法抛光:采用浮法抛光工艺,使用沥青抛光垫,将SiO2抛光粉溶解于去离子水中,将基板置于浮法抛光机上对其进行抛光,控制抛光再沉积层的厚度为100‑200nm,亚表面损伤层的深度为1000‑3000nm;(2)抛光后基板的氢氟酸刻蚀:将氢氟酸与去离子水混合,对抛光后的基板表面进行刻蚀,首先采用低浓度氢氟酸进行刻蚀,完全去除再沉积层,然后采用高浓度氢氟酸进行刻蚀,完全去除亚表面损伤层;(3)经过氢氟酸刻蚀后的基板进行超声波清洗,使用碱性清洗溶液,去除基板表面油脂以及100nm以上的残余颗粒,超声波清洗后用去离子水冲洗,离心机甩干;(4)基板的真空离子束清洗,控制真空度为1×10‑3Pa~5×10‑3Pa;(5)基板上薄膜制备:使用电子束蒸发方法在基板上制备HfO2/SiO2薄膜; (6)薄膜缺陷的激光预处理:用脉冲宽度为10ns,波长为1064nm的YAG激光对基板上的制备的HfO2/SiO2薄膜的缺陷进行激光预处理。
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