[发明专利]一种衬底处理系统

摘要

本发明公开一种衬底处理系统，包括去气腔、输气单元和气体处理装置，其中去气腔包括承载半导体衬底且位于腔内的支撑件；输气单元包括用于接收气体的输入口以及与所述去气腔封闭相连的一个或多个输出口；气体处理装置包括加热单元，所述气体处理装置与所述输气单元的输出口连接并位于所述支撑件上方；气体处理装置对接收到的气体进行加热，并将加热后的气体引入所述去气腔，通过气体作为传热介质对所述去气腔内的半导体衬底加热。本发明能够有效改善半导体衬底表面热辐射系数对加热温度的影响，实现不同类型半导体衬底的加热兼容性。

主权项

一种衬底处理系统，其特征在于，包括：去气腔、输气单元和气体处理装置，其中：所述去气腔，包括位于腔内的支撑件,所述支撑件用于承载半导体衬底；所述输气单元，包括用于接收气体的输入口以及与所述去气腔封闭相连的一个或多个输出口；所述气体处理装置，设置于所述去气腔内与所述输气单元的输出口连接并位于所述支撑件上方；所述气体处理装置包括加热单元和匀气单元，所述匀气单元包括与所述半导体衬底表面平行排列的相互间隔一定间距的多个匀气板，所述匀气板具有多个通孔；所述加热单元位于所述匀气板的上方、下方或所述匀气板内，用于对通过所述通孔的气体加热；所述多个匀气板中靠近所述支撑件的匀气板上通孔的数量大于靠近所述输气单元输出口的匀气板上通孔的数量，靠近所述输气单元输出口的匀气板上通孔的孔径大于靠近所述支撑件的匀气板上通孔的孔径；所述多个匀气板之间形成使气体停留被加热的空间。