[发明专利]导电图案形成方法和导电图案形成系统无效
申请号: | 201210480501.5 | 申请日: | 2012-11-22 |
公开(公告)号: | CN103137556A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 胜村学 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 柴丽敏;于辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本发明的模式,由于沿厚度方向形成了具有渐变组成结构的导电图案(3),其中从基底材料(1,2)开始,导电聚合物的含量比率减少而金属微颗粒的含量比率增大,所以,在所述基底材料和所述导电图案之间的粘接部分处,归因于高含量比率的导电聚合物,保证了与所述基底材料的粘着性,同时,通过增大所述金属微颗粒的含量比率,实现了有利的电气性能。 | ||
搜索关键词: | 导电 图案 形成 方法 系统 | ||
【主权项】:
导电图案形成方法(S10‑S28),包括步骤:通过从第一喷墨头(50)排出包含导电聚合物或者以预定含量比率包含所述导电聚合物和金属微颗粒的第一功能流体(3A‑3E),而在基底材料(1,2)上形成(S22)第一图案(3);通过从第二喷墨头(50)排出包含导电聚合物和金属微颗粒的第二功能流体(3A‑3E)而在所述第一图案上形成(S22)第二图案(3),其中与所述第一功能流体相比,所述第二功能流体中的导电聚合物的含量比率减小而金属微颗粒的含量比率增大;以及通过从第三喷墨头(50)排出包含导电聚合物和金属微颗粒的第三功能流体(3A‑3E),在所述第二图案上形成(S22)第三图案(3),其中与所述第二功能流体相比,所述第三功能流体中的导电聚合物的含量比率降低且金属微颗粒的含量比率增大,由此,形成导电图案(3),所述导电图案至少包括第一图案(3)、第二图案(3)和第三图案(3),并且所述导电图案具有渐变的组成,其中,通过利用具有导电聚合物和金属微颗粒的不同含量比率的三种或者更多种类型的功能流体(3A‑3E),从所述基底材料开始,沿着厚度方向,导电聚合物的含量比率降低而金属微颗粒的含量比率增大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210480501.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种舞台摇头电脑灯底座
- 下一篇:一种变色台灯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造