[发明专利]用于执行等离子体化学气相沉积过程的装置有效
申请号: | 201210480714.8 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN103122455B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | M·J·N·范斯特拉伦;I·米利塞维克;J·A·哈特苏伊克 | 申请(专利权)人: | 德雷卡通信技术公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01P7/06 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 苏娟 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于执行等离子体化学气相沉积过程的装置。该装置包括大体圆柱形的谐振器,该谐振器设有包围谐振腔的圆柱形外壁,谐振腔具有相对于圆柱轴线基本上旋转对称的形状。谐振器还包括在相对的圆柱轴线的方向上限制谐振腔的侧壁部。另外,该装置包括穿过圆柱形外壁延伸到谐振腔中的微波波导部。谐振腔在圆柱方向上的长度根据到圆柱轴线的径向距离变化。 | ||
搜索关键词: | 用于 执行 等离子体 化学 沉积 过程 装置 | ||
【主权项】:
一种用于执行等离子体化学气相沉积过程的装置,包括圆柱形的谐振器,所述谐振器设有包围谐振腔的圆柱形外壁,所述谐振腔具有相对于圆柱轴线旋转对称的形状,所述谐振器还设有在相对的圆柱轴线方向限制所述谐振腔的侧壁部,其中所述装置还包括微波波导部,所述微波波导部的一端穿过圆柱形外壁延伸到谐振腔中,并且其中所述谐振器包括环形元件,所述环形元件至少部分限定所述腔在圆柱方向的侧表面,使得所述谐振腔在圆柱方向上的长度根据到所述圆柱轴线的径向距离变化。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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