[发明专利]关于IGBT堆叠结构结壳热阻的简化算法在审

专利信息
申请号: 201210482570.X 申请日: 2012-11-22
公开(公告)号: CN103839901A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 程士东;盛况;谷彤;郭清;张军明 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36;H01L23/373
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 王梨华;陈丽霞
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及公开了一种IGBT堆叠结构结壳热阻的简化算法,GBT堆叠结构共有七层材料,包括芯片层,上层焊锡层,DBC上层金属层,DBC陶瓷层,DBC下层金属层,下层焊锡层,基板层,总热阻为这七种材料的热阻串联之和,表述如下,总热阻Rth_total=Rth_chip+Rth_soder1+Rth_DBC_me1+Rth_DBC_ci+Rth_DBC_me2+Rth_soder2+Rth_base。
搜索关键词: 关于 igbt 堆叠 结构 结壳热阻 简化 算法
【主权项】:
1.关于IGBT堆叠结构结壳热阻的简化算法,IGBT堆叠结构共有七层材料,包括芯片层,上层焊锡层,DBC上层金属层,DBC陶瓷层,DBC下层金属层,下层焊锡层,基板层,其特征在于:IGBT堆叠结构的总热阻为这七层材料的热阻串联之和,表述如下,总热阻Rth_total=Rth_chip+Rth_doder1+Rth_DBC_me1+Rth_DBC_ci+Rth_DBC_me2+Rth_soder2+Rth_base其中,Rth_total为堆叠结构的总的结壳热阻,Rth_chip为芯片层热阻,Rth_soder1为上层焊锡层热阻,Rth_DBC_me1为DBC上层金属层热阻,DBC的金属层为铝或铜,Rth_DBC_ci为DBC陶瓷层热阻,DBC陶瓷为氧化铝或氮化铝或氮化硅,Rth_DBC_me2为DBC下层金属层热阻,下层金属层与上层金属层材料相同,Rth_soder2为下层焊锡层热阻,Rth_base为基板层热阻,基板为铜或铝碳化硅;每层材料的热阻计算如下,其中,Rth为该层的热阻,λ为该层材料的导热系数,length为热源传递到该层上表面横向上的长度,width为热源传递到该上表面纵向上的宽度,a为热流在该层横向上的传递角度, β为热源在该层纵向上的传递角度,同种材料临靠不同材料时的热流传递角度不一致。
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