[发明专利]具有改进的栅极平坦性的FinFET有效
| 申请号： | 201210482758.4 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137493A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | T·E·斯坦达尔特;程慷果;B·S·哈朗;S·波诺斯;徐顺天;山下典洪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;张宁 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的各种实施例总体上涉及具有改进的栅极平坦性的FinFET，具体而言，公开了一种具有改进的栅极平坦性的FinFET和制作方法。栅极在去除任何非所需鳍之前设置于鳍图案上。光刻技术或者蚀刻技术或者二者的组合可以用来去除非所需鳍。可以合并剩余鳍中的所有鳍或者一些鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 栅极 平坦 finfet | ||
【主权项】：
一种制作FinFET的方法，包括：形成鳍图案，其中每个鳍包括设置于其上的鳍硬掩模层；在所述鳍图案之上沉积栅极层；在所述栅极层之上沉积栅极硬掩模层；去除所述栅极硬掩模层和所述栅极层的部分，由此暴露所述鳍图案；在来自所述鳍图案的鳍的第一子集之上沉积抗蚀层；使用蚀刻从所述鳍图案去除所述鳍的第二子集；并且合并所述鳍的第一子集的至少一些鳍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210482758.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：蓬糙茧分离装置
- 下一篇：存储装置、纠错方法及存储系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
