[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本公开的实施例，在相邻的栅电极之间形成有覆盖相应的栅电极侧墙上的间隔件以及半导体衬底表面的附加的内部互连层。从而，接触件可以与覆盖间隔件及衬底表面的内部互连层接触，并由该内部互连层支承。源极/漏极可以从该附加的内部互连层连接至接触件。因而，增大了接触件与内部互连层的接触面积。进而，使得能够减小栅极－栅极间距，促进半导体器件的尺寸缩放。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成具有预定间距的多个栅电极；形成覆盖所述栅电极的侧墙的间隔件；在所述半导体衬底的表面上沉积内部互连层，所述内部互连层覆盖所述栅电极及所述间隔件；选择性蚀刻去除所述内部互连层，以保留所述内部互连层的位于相邻栅电极之间且覆盖于所述半导体衬底的表面以及相应的所述间隔件上的至少一部分；以及形成位于所保留的所述内部互连层上并与其接触的接触件。