[发明专利]金属介质膜宽带脉冲压缩光栅无效

专利信息
申请号: 201210484149.2 申请日: 2012-11-23
公开(公告)号: CN102928905A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 关贺元;晋云霞;吴建波;杜颖;侯永强;刘世杰;易葵;邵建达 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张泽纯
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种用于800纳米中心波长的金属介质膜宽带脉冲压缩光栅,是在石英基底上自内向外依次的金属层、介质膜组成的匹配层和光栅刻蚀层一体构成,最外层为SiO2。该矩形光栅的周期为490-640纳米;占空比为0.2-0.4。光栅刻蚀层中间层为高折射率层,内外层为低折射率层SiO2;匹配层外层为高折射率层,内层低折射率层;金层厚度大于50纳米。本发明金属介质膜宽带脉冲压缩光栅在入射角度53°,在700-909纳米波段TE偏振的-1级反射衍射效率大于90%。光栅在800纳米入射波长下,入射角度为29°-65°,TE偏振的-1级反射衍射效率大于90%。该光栅可以用作高功率超短脉冲激光系统的脉冲压缩光栅。
搜索关键词: 金属 介质 宽带 脉冲 压缩 光栅
【主权项】:
一种用于800纳米中心波长的金属介质膜宽带脉冲压缩光栅,特点在于其构成是在石英基底上自内向外依次的金属层(8)、介质膜组成的匹配层(7)和光栅刻蚀层(4)一体构成,所述的匹配层(7)自内向外由第一低折射率膜层(6)和第一高折射率层(5)构成、所述的光栅刻蚀层(4)自内向外由第二低折射率膜层(3)、第二高折射率层(2)和第三低折射率膜层(1)构成,所述的光栅刻蚀层(4)的光栅周期为490~640纳米,占空比为0.2~0.4。
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