[发明专利]掺杂失效的分析方法

摘要

本发明公开了一种掺杂失效的分析方法，包括步骤：提供一良品硅片；对良品硅片和待测样品硅片进行处理直至露出衬底表面；将良品硅片和待测样品硅片分别放置在一导电底座上并用锡焊固定；分别在良品硅片和待测样品硅片上选定一测试图形；进行测试条件设置；采用单针分别对良品硅片和待测样品硅片上的测试图形进行认证测试；对良品硅片和待测样品硅片的测试数据进行比较并判断待测样品硅片的掺杂是否失效。本发明能准确快速验证掺杂相关的失效，能大大减少测试图形尺寸、实现小尺寸图形的掺杂失效分析，能大大节省芯片失效分析的时间和确保失效分析的准确性，为明确工艺原因及提升相关产品的良率发挥重大作用。

主权项

一种掺杂失效的分析方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一掺杂符合要求的良品硅片，该良品硅片用于对待测样品硅片进行比较分析；步骤二、对所述良品硅片和所述待测样品硅片进行处理，该处理将所述良品硅片和所述待测样品硅片的衬底表面上的膜层结构都去除，直至露出所述良品硅片和所述待测样品硅片的衬底表面；步骤三、将处理过的所述良品硅片和所述待测样品硅片分别放置在一导电底座上，且通过锡焊料分别将所述良品硅片和所述待测样品硅片的底部和对应底座紧密品质粘贴在一起；步骤四、分别在所述良品硅片和所述待测样品硅片上选定一测试图形，所述良品硅片上的测试图形和所述待测样品硅片上的测试图形的尺寸相同，且所述良品硅片和所述待测样品硅片上的测试图形区域处从硅片的表面到底部的掺杂类型相同；步骤五、采用扩展电阻测试设备进行测试条件设置，测试条件设置包括整修工具参数设置和认证测试参数设置；步骤六、根据所设定的测试条件，采用单针分别对所述良品硅片上的测试图形和所述待测样品硅片上的测试图形进行认证测试，测试后分别得到所述良品硅片的电阻值的数据、以及所述待测样品硅片的电阻值的数据；步骤七、对所述良品硅片和所述待测样品硅片的电阻值的数据进行比较，当所述待测样品硅片的电阻值为所述良品硅片电阻值的95%～105%时，所述待测样品硅片的掺杂有效；当所述待测样品硅片的电阻值为所述良品硅片电阻值的95%～105%的范围之外时，所述待测样品硅片的掺杂失效。