[发明专利]一种制备多孔硅基质子交换膜的方法有效
| 申请号： | 201210484580.7 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102983344A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王晓红;王玫;李剑楠;刘理天 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01M8/10 | 分类号： | H01M8/10 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 薄观玖 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制备多孔硅基质子交换膜的方法，所述方法包括三个步骤：1）多孔硅膜的亲水化，利用硫酸和双氧水处理多孔硅膜，使其侧壁上嫁接足够多的羟基；2）硅烷偶联剂的嫁接，利用缩合反应把硅烷偶联剂嫁接在多孔硅的侧壁，作为磺酸基的骨架；3）磺化，利用硝酸氧化硅烷偶联剂末端的巯基，使其氧化成为磺酸基。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 多孔 基质 交换 方法 | ||
【主权项】：
一种制备多孔硅基质子交换膜的方法，其特征在于所述方法包括三个步骤：1）多孔硅膜的亲水化，利用硫酸和双氧水处理多孔硅膜，使其侧壁上嫁接足够多的羟基；2）硅烷偶联剂的嫁接，利用缩合反应把硅烷偶联剂嫁接在多孔硅的侧壁，作为磺酸基的骨架；3）磺化，利用硝酸氧化硅烷偶联剂末端的巯基，使其氧化成为磺酸基。
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