[发明专利]激光退火装置及退火方法有效
申请号: | 201210485215.8 | 申请日: | 2012-11-23 |
公开(公告)号: | CN103839790A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 蔡博修 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/324 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种激光退火装置及退火方法。将激光源发出的光分成主激光和调制激光阵列,调制激光阵列领先主激光不同的时间间隔到达掩膜上,在掩膜的不同位置处不同程度地拓宽掩膜的能带隙,使得主激光能够按照不同的透过率透射掩膜,且吸收光阑吸收所述调制激光阵列并使得透射后的主激光无损耗出射,从而能够针对晶圆的不同表面形成不同强度的退火激光,实现精确的退火效果。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种激光退火装置,其特征在于,包括:激光源、分束器、倍频元件、塞孔阵、多个光程调节台、多个透镜、掩膜、吸收光阑和出射光阑;其中,所述激光源发出的光束经分束器后形成主激光和调制激光;所述调制激光经过所述倍频元件和塞孔阵后形成调制激光阵列;所述调制激光阵列和主激光经所述多个光程调节台调整光程差后透射多个透镜并先后到达至掩膜上并透射;所述主激光的光子能量和调制激光阵列的光子能量皆大于所述掩膜的能带隙;所述吸收光阑吸收所述调制激光阵列并使得透射后的主激光无损耗出射至出射光阑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造