[发明专利]一种钽酸锂薄膜离子束增强沉积制备工艺方法无效
| 申请号： | 201210485470.2 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102943244A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 张德银;李坤;彭卫东;钱伟;包勇;王宇;张熙;高峰;赵国柱 | 申请（专利权）人： | 中国民用航空飞行学院 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/08;C23C14/58;C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 618307 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种钽酸锂薄膜离子束增强沉积制备工艺方法，涉及功能材料薄膜的制备技术。该工艺方法选用以高纯度醋酸锂与五氧化二钽经过压制烧结而成溅射靶，用高纯Ar气产生的氩离子束对靶材进行轰击，在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上溅射沉积均匀、致密、与衬底粘附良好、与CMOS工艺兼容、低介电损耗、低漏电、高剩余极化强度的钽酸锂薄膜。所制备的钽酸锂薄膜，结晶择优取向为<012>、<104>；剩余极化强度在10-20μC/cm2之间；在测试电场400kV/cm作用下漏电流为4.76×10-8A/cm2；介电损耗为0.045。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钽酸锂 薄膜 离子束 增强 沉积 制备 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种钽酸锂薄膜的离子束增强沉积制备方法，其特征在于，选用以高纯醋酸锂与五氧化二钽为原料烧结成的溅射靶，用高纯Ar气产生的氩离子束对靶材进行轰击，高剂量离子束轰击靶材将产生α态粒子，最后在衬底片上Pt/Ti/SiO2/Si(100)沉积形成薄膜，采用上述方法制备的离子束增强沉积LiTaO3薄膜经氧气氛退火，可以获得均匀、致密、高取向的多晶结构LiTaO3薄膜。
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