[发明专利]钨膜的成膜方法

摘要

本发明涉及一种钨膜的成膜方法，形成与底层的密合性或电特性不会变差、电阻低的钨膜。在减压环境下对基板进行加热并且在基板的表面上形成钨膜时，隔着吹扫交替重复进行作为钨原料的WF6气体的供给、和作为还原气体的H2气体的供给，从而在基板的表面上形成初期钨膜，在初期钨膜的表面上吸附含有用于形成核的物质的气体，供给作为钨原料的WF6气体和作为还原气体的H2气体，形成阻断初期钨膜的结晶性的结晶性阻断钨膜，然后升高处理容器内的压力后，增多WF6气体的流量来供给WF6气体和H2气体，从而形成主钨膜。

主权项

一种钨膜的成膜方法，其特征在于，其为在处理容器内、在减压环境下对基板进行加热并且在基板的表面上形成钨膜的成膜方法，该钨膜的成膜方法具有如下工序：隔着所述处理容器内的吹扫而交替重复进行向所述处理容器内供给作为钨原料的WF6气体、和供给作为还原气体的H2气体，从而在基板的表面上形成用于生成钨的核的初期钨膜的工序；在所述初期钨膜的表面上吸附含有用于形成核的物质的气体的工序；向所述处理容器内供给作为钨原料的WF6气体和作为还原气体的H2气体，形成阻断所述初期钨膜的结晶性的结晶性阻断钨膜的工序；和在所述结晶性阻断钨膜成膜结束后，停止WF6气体的供给，升高所述处理容器内的压力后，在与所述结晶性阻断钨膜的成膜时相比更高的压力下，与所述结晶性阻断钨膜的成膜时相比增多WF6气体的流量来供给WF6气体和H2气体，从而形成主钨膜的工序。