[发明专利]一种光刻胶做厚的方法无效
| 申请号： | 201210488190.7 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103838087A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李玉华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;B05D7/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻胶做厚的方法，提供待涂布的半导体晶片，向所述静止状态下的半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出RRC，以旋转速度R1旋转所述的半导体晶片；增加旋转速度到R2，并向所述的半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出光刻胶；降低旋转速度到R3为200RPM～500RPM，旋转5s～15s进行预匀胶；增加旋转速度到R4进行匀胶；降低旋转速度到R5进行边洗；以旋转速度R6对背面进行清洗；以旋转速度R7再次进行边洗；以旋转速度R8甩干清洗溶剂。本发明通过增加了预匀胶步骤，涂布后的半导体晶片，光刻胶厚度可以增加10%～15%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 胶做厚 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻胶做厚的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待涂布的半导体晶片，向所述静止状态下的半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出RRC，以旋转速度R1旋转所述的半导体晶片；增加旋转速度到R2，并向所述的半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出光刻胶；降低旋转速度到R3为200RPM～500RPM，旋转5s～15s进行预匀胶；增加旋转速度到R4进行匀胶；降低旋转速度到R5进行边洗；以旋转速度R6对背面进行清洗；以旋转速度R7再次进行边洗；以旋转速度R8甩干清洗溶剂。
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