[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201210488960.8 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103151455B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山彻哉;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了存储元件和存储装置。一种存储元件包括分层结构。该分层结构包括存储层、磁化固定层和中间层。存储层具有与膜面垂直的磁化，其中该磁化的方向取决于信息而改变，并且该磁化的方向通过在分层结构的层压方向上施加电流而被改变从而将信息记录在存储层中。磁化固定层具有成为存储层中所存储的信息的基础的、与膜面垂直的磁化，具有包括非磁层和至少两个铁磁层的层压铁钉合结构，并且包括形成在至少两个铁磁层中的任一者上的反铁磁氧化层。中间层由非磁材料形成并且被设置在存储层和磁化固定层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，包括：分层结构，该分层结构包括：存储层，其具有与膜面垂直的磁化，其中，该磁化的方向取决于信息而改变，该磁化的方向通过在所述分层结构的层压方向上施加电流而被改变，从而将所述信息记录在所述存储层中，第一磁化固定层，其具有成为所述存储层中所存储的信息的基础的、与膜面垂直的磁化，具有包括非磁层和至少两个铁磁层的层压铁钉合结构，并且包括形成在所述第一磁化固定层的所述至少两个铁磁层中的任一者上的反铁磁氧化层，以及第一中间层，其由非磁材料形成，并且被设置在所述存储层和所述第一磁化固定层之间，第二磁化固定层，其具有成为所述存储层中所存储的信息的基础的、与膜面垂直的磁化，具有包括非磁层和至少两个铁磁层的层压铁钉合结构，并且包括形成在所述第二磁化固定层的所述至少两个铁磁层中的任一者上的反铁磁氧化层，所述第二磁化固定层设置在所述存储层的与所述第一磁化固定层相反的一侧，以及第二中间层，其由非磁材料形成，并且被设置在所述存储层和所述第二磁化固定层之间。
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