[发明专利]钠离子二次电池及其用的层状含锰氧化物活性物质、正极和活性物质的制备方法在审
| 申请号： | 201210490501.3 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103840149A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 胡勇胜;王跃生;徐淑银;刘品;李泓;陈立泉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01M4/505 | 分类号： | H01M4/505;H01M10/054;H01M4/131 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种钠离子二次电池及其用的层状含锰氧化物活性物质、正极和活性物质的制备方法，该正极活性物质的化学通式为：NaxAyMn1-yO2，其中A为Li、Mg、Cu、Zn、Al、V和Fe其中的一种或多种；0.4<x<0.9，0.05<y<0.5，-0.1<δ<0.1。本发明的钠离子二次电池的正极活性物质在钠离子二次电池中的平均工作电压在2.6-3.8V。此外，本发明的新型层状的掺杂的锰氧化物的正极材料结构稳定，安全性能好且价格便宜，循环稳定性良好。 | ||
| 搜索关键词： | 钠离子 二次 电池 及其 层状 氧化物 活性 物质 正极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种层状含锰氧化物活性物质，NaxAyMn1‑yO2，其中A为Li、Mg、Cu、Zn、Al、V和Fe其中的一种或多种；0.4<x<0.9，0.05<y<0.5，‑0.1<δ<0.1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210490501.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：隐藏式多功能儿童插座
- 下一篇：夹形反张插头
