[发明专利]显示设备有效
申请号: | 201210490812.X | 申请日: | 2012-11-27 |
公开(公告)号: | CN103137652A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 冈本薰;木户滋;大塚学;佐藤信彦 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李晓芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种显示设备。所述显示设备包括:基板;和在该基板上提供的多个像素,所述像素每个具有通过将在基板上提供的下电极、有机化合物层和上电极依次叠加而获得的有机EL元件,以及所述下电极包括对于每个像素独立地放置的电极,其中:所述下电极由在所述基板上提供的第一下电极层和在第一下电极层上提供的第二下电极层形成;所述有机化合物层和所述上电极覆盖第一下电极层和第二下电极层;以及从第二下电极层到有机化合物层中的电荷注入性质大于从第一下电极层的端部分到有机化合物层中的电荷注入性质。 | ||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
【主权项】:
一种显示设备,包括:基板;和在该基板上提供的多个像素,每个所述像素具有通过将在基板上提供的下电极、有机化合物层和上电极依次叠加而获得的有机电致发光元件,以及所述下电极包括对于所述像素的每一个在所述基板上独立地放置的电极,其中:所述下电极包括在所述基板上提供的第一下电极层和在所述第一下电极层上的区域中提供的第二下电极层,所述区域避开端部分;所述有机化合物层和所述上电极覆盖所述第一下电极层和所述第二下电极层;以及从所述第二下电极层到所述有机化合物层中的电荷注入性质大于从所述第一下电极层到所述有机化合物层中的电荷注入性质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的