[发明专利]一种真空离子溅射金属铋膜电极的制备方法、电极及应用无效

专利信息
申请号: 201210491588.6 申请日: 2012-11-27
公开(公告)号: CN102965631A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 王欣 申请(专利权)人: 北京利达科信环境安全技术有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/14;G01N27/30
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 张涛
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及真空离子溅射金属镀膜电极领域,具体涉及一种真空离子溅射金属铋膜电极的制备方法、电极及应用。本发明方法按顺序包括如下步骤:(1)真空溅射金属靶材的制备:将金属铋或金属铋合金加工成直径55-57mm,厚度0.5-3mm的盘状靶材;(2)金属铋膜电极的制备:将步骤(1)中所得靶材安装于真空溅射靶材托架,将工作电极平面朝向靶材溅射方向安装在样品台基底上;将溅射系统抽至真空,真空度不大于7×10-3mbar,施加不大于100mA直流电流,清洗溅射靶表面,以除去氧化层;控制电流不大于50mA进行循环溅射,每个溅射循环时间不大于30s;溅射结束后,得到铋膜工作电极。本发明方法操作简单,使用方便;使用本发明电极可以方便、快速、灵敏地同时检测多种重金属离子。
搜索关键词: 一种 真空 离子 溅射 金属 电极 制备 方法 应用
【主权项】:
一种真空离子溅射金属铋膜电极的制备方法,其特征在于,按顺序包括如下步骤:(1)真空溅射金属靶材的制备:将金属铋或金属铋合金加工成直径55‑57mm,厚度0.5‑3mm的盘状靶材;(2)金属铋膜电极的制备:将步骤(1)中所得靶材安装于真空溅射靶材托架,将工作电极平面朝向靶材溅射方向安装在样品台基底上;将溅射系统抽至真空,真空度不大于7×10‑3mbar,施加不大于100mA直流电流,清洗溅射靶表面,以除去氧化层;控制电流不大于50mA进行循环溅射,每个溅射循环时间不大于30s;溅射结束后,得到金属铋膜工作电极。
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