[发明专利]一种化学机械抛光工艺在审
| 申请号： | 201210492228.8 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103831706A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王雨春;荆建芬;庞可亮 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/02 | 分类号： | B24B37/02;B24B37/04;C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用于TSV硅通孔化学机械抛光的工艺方法，包括以下步骤：第一步，用铜抛光液去除铜覆盖层并对表面进行平坦化；第二步，用抛光液去除钽阻挡层和TSV隔离层SiO2，并对表面进行平坦化。采用优化工艺进行抛光后的效果图，抛光的目的在于除去铜覆盖层、钽阻挡层和TSV隔离层SiO2，并且使抛光停留在停留层Si3N4上，从而保证对器件绝缘层SiO2不造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于TSV硅通孔化学机械抛光的工艺方法，包括以下步骤：步骤A：用铜抛光液去除铜覆盖层并对表面进行平坦化，步骤B：用钽抛光液去除钽阻挡层并对表面进行平坦化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安集微电子（上海）有限公司，未经安集微电子（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210492228.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：负载检测阻抗匹配缓冲器
- 下一篇：铸坯的表面温度测量方法和装置
