[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括提供具有第一导电层和第二导电层的半导体衬底，半导体衬底表面具有第一介质层；在第一介质层表面形成掩膜层，掩膜层内具有第三开口和第四开口，第三开口与第一导电层的位置对应，第四开口与第二导电层的位置对应；以掩膜层为掩膜，刻蚀第一介质层，形成暴露出第一导电层的第一开口和暴露出第二导电层的第二开口，第二开口包括相互贯通的第一子开口和第二子开口，第二子开口的开口尺寸大于第一子开口的开口尺寸；在第一开口和第二开口内形成第一金属层；在第一开口内的第一金属层表面形成第二介质层；之后，在第一开口和第二开口内填充满第二金属层。所述半导体结构的形成方法简单，形成的半导体结构性能稳定。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和第二导电层的表面和半导体衬底的表面齐平，所述半导体衬底、第一导电层和第二导电层的表面具有第一介质层；在所述第一介质层表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有第三开口和第四开口，所述第三开口暴露出与第一导电层的位置对应的第一介质层表面，所述第四开口暴露出与第二导电层的位置对应的第一介质层表面第二导电层；在所述掩膜层表面、以及第四开口的侧壁和部分底部表面形成光刻胶层，所述光刻胶层暴露出第二导电层的对应位置；以所述光刻胶层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第三开口和第四开口底部的第一介质层，形成与第一导电层位置对应的第五开口，以及与第二导电层位置对应的第六开口；去除所述光刻胶层，并以所述掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第四开口、第五开口和第六开口的底部直至暴露出半导体衬底为止，形成暴露出第一导电层的第一开口，和暴露出第二导电层的第二开口，所述第二开口包括暴露出第二导电层的第一子开口、以及底部与所述第一子开口贯通的第二子开口，所述第二子开口的开口尺寸大于所述第一子开口的开口尺寸，所述第一开口用于形成电容结构，所述第二开口用于形成大马士革结构；在所述第一开口和第二开口的侧壁和底部表面、以及第一介质层表面形成第一金属层；在所述第一开口的侧壁和底部的第一金属层表面形成第二介质层；在形成所述第二介质层后，在所述第一开口和第二开口内形成填充满所述第一开口和第二开口的第二金属层；去除高于第一介质层表面的第二金属层、第二介质层、第一金属层和掩膜层。