[发明专利]焊垫结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210492714.X | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103839908B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种焊垫结构及其制作方法。其中，本发明焊垫结构的钝化层中的一层通过材质选择，起到粘合介电层及其它钝化层的作用，上述起粘合作用的钝化层的设置，使得钝化层与介电层的结合性变强，进而使得位于钝化层中的焊垫金属层不易从钝化层上剥落，焊垫金属层与顶层金属的电连接性变强，提高了打线工艺成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种焊垫结构，其特征在于，包括：位于芯片顶部的介电层及包埋在所述介电层中的顶层金属，所述介电层与所述顶层金属的上表面齐平；位于所述介电层及顶层金属上的钝化层，所述钝化层中具有暴露部分所述顶层金属的窗口，所述窗口内填充有焊垫金属层；其中，所述钝化层至少包括第一钝化层、第二钝化层、以及介于第一钝化层与第二钝化层之间的第三钝化层，所述第二钝化层的材质为碳化硅，所述第三钝化层的材质为氮化硅或碳氮化硅，所述第二钝化层粘合所述介电层与第一钝化层，提高所述焊垫金属层与所述顶层金属的电连接性。
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