[发明专利]一种表征通孔刻蚀后关键尺寸的方法无效
| 申请号： | 201210493942.9 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103000578A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种表征通孔刻蚀后关键尺寸的方法，包括在双大马士革工艺的光刻预定区域的通孔图形时，在非预定区域的光罩上形成通孔的测量图形，所述测量图形的大小与所述定义通孔图形的大小一致；进行通孔刻蚀工艺，在预定区域和非预定区域刻蚀出通孔；在刻蚀工艺稳定后，测量非预定区域的通孔的尺寸。本发明的表征通孔刻蚀后关键尺寸的方法可以有效地在通孔结构刻蚀完之后，方便快捷的进行通孔特征尺寸的测量，便于实时快捷的对通孔刻蚀工艺进行反馈，甄别和调整控制。并且还具有测量精准，重复性高等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表征 刻蚀 关键 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种表征通孔刻蚀后关键尺寸的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在双大马士革工艺的光刻预定区域的通孔图形时，在非预定区域的光罩上形成通孔的测量图形，所述测量图形的大小与所述定义通孔图形的大小一致；步骤2，进行通孔刻蚀工艺，在预定区域和非预定区域刻蚀出通孔；步骤3，在刻蚀工艺稳定后，测量非预定区域的通孔的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
