[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201210495010.8 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103854978A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;尹海洲;殷华湘;洪培真;王桂磊;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成假栅极绝缘层和假栅极层；光刻/刻蚀假栅极绝缘层和假栅极层形成假栅极堆叠；去除假栅极层，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成内侧墙。依照本发明的半导体器件制造方法，在去除假栅极形成的栅极沟槽中形成内侧墙，减小了栅极线宽，提高了高k金属栅的填充率，提高了器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成假栅极绝缘层和假栅极层；光刻/刻蚀假栅极绝缘层和假栅极层形成假栅极堆叠；去除假栅极层，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成内侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
