[发明专利]电子器件、制造方法和电子器件制造装置有效
申请号: | 201210495330.3 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN103212776A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 酒井泰治;今泉延弘 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | B23K20/00 | 分类号: | B23K20/00;B23K20/24;B23K20/26;H01L21/603;H01L23/488;H01R4/00;H01R43/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;全万志 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种电子器件、制造方法和电子器件制造装置。根据本公开内容,所述制造方法包括:使第一电子元件的第一电极的顶表面暴露于有机酸,利用紫外光照射第一电极的暴露于有机酸的顶表面,以及通过对第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合第一电极和第二电极。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种制造电子器件的方法,所述方法包括:使第一电子元件的第一电极的顶表面暴露于有机酸;利用紫外光照射所述第一电极的暴露于所述有机酸的所述顶表面;以及通过对所述第一电极和第二电子元件的第二电极进行加热和相互压制来接合所述第一电极和所述第二电极。
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