[发明专利]一种光学可测且使用封帽电极的MEMS封装结构有效
| 申请号： | 201210495460.7 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102976262A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 秦毅恒;薛惠琼;谭振新 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光学可测且使用封帽电极的MEMS封装结构，其主要包括：MEMS结构、承载MEMS结构的衬底、所述MEMS结构及衬底上的封帽，封帽将MEMS结构密封在封帽与衬底之间形成的腔体内。封帽由封帽基体、封帽电极、导电凸块及其底部金属层、密封环组成；其中，封帽基体为对特定光线透明材料，封帽电极4位于封帽内侧，用于感应MEMS结构的运动，可以为带有透光孔的不透明电极，也可以为不带有透光孔的透明电极；封帽电极的形式可以为公共电极或分立电极。本发明结构简单，且能够应用于非接触式光学测量方法；该封装结构还与CMOS工艺兼容，甚至能够直接用于封装CMOS顶层金属-介质结构组成的MEMS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 使用 电极 mems 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种光学可测且使用封帽电极的MEMS封装结构，其特征是，包括：MEMS结构（8）、承载MEMS结构（8）的衬底（2）、所述MEMS结构（8）和衬底（2）上的封帽（1），所述封帽（1）与衬底（2）之间形成的腔体（20），MEMS结构（8）密封在所述腔体（20）内；所述封帽（1）包括封帽基体（3）、封帽电极（4）、导电凸块（6）及其底部金属层（19），所述封帽电极（4）、导电凸块（6）的底部金属层（19）使用同一层封帽导电层（23）制作；所述封帽基体（3）为对特定光线透明材料，所述封帽导电层（23）为不透明导电材料或透明导电材料；所述封帽电极（4）为分立电极或公共电极，位于封帽（1）内侧，与腔体（20）接触，用于感应MEMS结构（8）的运动；当所述封帽导电层（23）为不透明导电材料时，封帽电极（4）中包含一个或多个位于MEMS结构（8）的上方的透光孔（5）。
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