[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201210495599.1 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103137500A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 伊藤洋行;樱田伸一 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本文公开一种制造半导体器件的方法，包括：堆叠多个半导体芯片以形成第一芯片层叠体，提供底部填料以填充半导体芯片之间的间隙，使得在第一芯片层叠体周围形成填角部分，以及修整填角部分以形成第二芯片层叠体。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：堆叠多个半导体芯片以形成第一芯片层叠体；提供底部填料以填充所述半导体芯片之间的间隙，使得在所述第一芯片层叠体周围形成填角部分；以及修整所述填角部分以形成第二芯片层叠体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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