[发明专利]一种高致密度复合陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 201210496669.5 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103011834A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李东炬;韩吉光 | 申请（专利权）人： | 大连大友高技术陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅 |
| 地址： | 116000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高致密度复合陶瓷的制备方法，属于陶瓷制备领域。一种高致密复合陶瓷的制备方法，包括混料、球磨和烧结的步骤所述陶瓷原料，按质量百分比，由下述组分组成：β-Si3N4：70%~90%，AlN：5%~25%，BN：1%~3%，Y2O3：0.1%~1%，CaF2：0.1%~1%。该制备方法可以实现在常压下烧结氮化硅-氮化铝-立方氮化硼复合陶瓷材料，同时步骤简单、方便易行。利用该方法制备的氮化硅陶瓷强度高、致密性好、耐高温和耐磨优异，可广泛用于各种对材料强度要求高的领域，尤其适用于制作轴承滚动体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致密 复合 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高致密度复合陶瓷的制备方法，包括混料、球磨和烧结的步骤，其特征在于：所述混料步骤中，陶瓷原料，按质量百分比，由下述组分组成：![]()
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