[发明专利]改善待测图案之关键尺寸量测的方法无效
| 申请号： | 201210496709.6 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102944983A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 夏婷婷;朱骏;马兰涛;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善待测图案之关键尺寸量测的方法，包括：步骤S1：确定辅助定位图形的形状，所述辅助定位图形包括至少由三个分别具有水平方向和竖直方向呈90°图形信息的独立定位图形构成；步骤S2：通过曝光和显影工艺将光掩模版上的所述待测图案和所述辅助定位图形转移至所述光阻层；步骤S3：通过CDSEM，对辅助定位图形进行定位；步骤S4：确定待测图案，并进行关键尺寸测量。本发明所述的改善待测图案之关键尺寸量测的方法，通过在所述光掩模版之稀疏图形区域设置所述辅助定位图形，增加了边缘反射二次电子束的信息，利于所述辅助定位图形的聚焦和信息识别，进而增大了待测图案，尤其包括接触孔图案、通孔图案量测的成功率，进一步提高了制程的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 善待 图案 关键 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种改善待测图案之关键尺寸量测的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：确定辅助定位图形的形状，所述辅助定位图形包括至少由三个分别具有水平方向和竖直方向呈90°图形信息的独立定位图形构成；执行步骤S2：通过曝光和显影工艺将光掩模版上的所述待测图案和所述辅助定位图形转移至所述光阻层，所述辅助定位图形对应设置在所述光掩模版之稀疏图形区域；执行步骤S3：通过CDSEM，对辅助定位图形进行定位；执行步骤S4：确定待测图案，并进行关键尺寸测量。
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