[发明专利]等离子体的监控及杂散电容的最小化有效
申请号: | 201210496884.5 | 申请日: | 2012-09-20 |
公开(公告)号: | CN103014677B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 白宗薰;S·H·金;朴范洙;约翰·M·怀特;栗田真一;杨晓玲 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;C23C16/52;H01J37/244 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陆勍,侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明基本上涉及一种电容耦合的等离子体(CCP)处理腔、一种用于减小或防止杂散电容的方法和一种用于测量在所述处理腔内的等离子体状态的方法。由于CCP处理腔尺寸上的增大,杂散电容有会对工艺产生负面影响的趋势。此外,RF接地带可能断裂。通过增大腔背板和腔壁之间的间隔,可以将杂散电容最小化。此外,可以通过在背板而不是在匹配网络测量等离子体的状态来监控等离子体。在这样的测量中,可以分析等离子体的谐波数据以展示腔中的等离子体处理状态。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 监控 电容 最小化 | ||
【主权项】:
一种用于测量电容耦合的等离子体腔中的等离子体状态的方法,包括:经匹配网络从RF功率源传送RF功率到所述电容耦合的等离子体腔的背板;在所述电容耦合的等离子体腔中激发等离子体;和在与所述匹配网络隔开的位置测量所述等离子体的第二和第三谐波的一个或多个相位,其中,所述电容耦合的等离子体腔的壁架通过电隔离器与所述背板电气绝缘,且其中,所述电隔离器的厚度以及所述背板和所述电容耦合的等离子体腔的腔盖之间的距离都被增大,从而减小或消除杂散电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210496884.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种水性银色轮毂漆的制备方法
- 下一篇:一种用于水性绝缘漆的树脂的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的