[发明专利]一种高侧横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210497369.9 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103855209A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;石金成;高振杰;文燕 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高侧横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，包括：P型衬底；深N阱，形成于所述P型衬底中；P阱，形成于所述深N阱中；P-体区，形成于包括有第一区域和第二区域的所述P阱中的所述第一区域；N-漂移区，形成于所述第二区域内的第三区域；N-漏极保护区，形成于所述第二区域内的与所述第三区域具有重叠的第四区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高侧横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：P型衬底；深N阱，形成于所述P型衬底中；P阱，形成于所述深N阱中；P‑体区，形成于包括有第一区域和第二区域的所述P阱中的所述第一区域；N‑漂移区，形成于所述第二区域内的第三区域；N‑漏极保护区，形成于所述第二区域内的与所述第三区域具有重叠的第四区域。
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