[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210498184.X | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103000763A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 周军;姜小松;贺文慧;朱娟娟;党继东;孟祥熙;辛国军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片经酸液或碱液腐蚀，在硅片表面形成微米级的绒面结构；(2)将步骤(1)得到的硅片进行气体腐蚀，在所述微米级的绒面结构上进一步形成纳米级的绒面结构；气体腐蚀所用的气体包括氮氧化物气体、水蒸气和氟化氢；所述氮氧化物气体选自一氧化氮、二氧化氮和四氧化二氮中的一种或几种。本发明在现有的微米级绒面结构的基础上，进一步采用气体腐蚀在微米级绒面结构的基础上形成纳米级的绒面结构，从而进一步降低表面反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将待处理的硅片经酸液或碱液腐蚀，在硅片表面形成微米级的绒面结构；(2) 将步骤(1)得到的硅片进行气体腐蚀，在所述微米级的绒面结构上进一步形成纳米级的绒面结构；气体腐蚀所用的气体包括氮氧化物气体、水蒸气和氟化氢；所述氮氧化物气体选自一氧化氮、二氧化氮和四氧化二氮中的一种或几种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
