[发明专利]一种高致密度复合陶瓷球的制备方法有效
申请号: | 201210499288.2 | 申请日: | 2012-11-28 |
公开(公告)号: | CN103030399A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 李东炬;韩吉光 | 申请(专利权)人: | 大连大友高技术陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 赵淑梅 |
地址: | 116000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种高致密度复合陶瓷球的制备方法,属于陶瓷制备领域。一种高致密复合陶瓷的制备方法,包括混料、球磨和烧结的步骤所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:β-Si3N4:70%~90%,A1N:5%~25%,BN:1%~3%,Y2O3:0.1%~1%,CaF2:0.1%~1%。该制备方法可以实现在常压下烧结氮化硅-氮化铝-立方氮化硼复合陶瓷材料,同时步骤简单、方便易行。利用该方法制备的氮化硅陶瓷强度高、致密性好、耐高温和耐磨优异,可广泛用于各种对材料强度要求高的领域,尤其适用于制作轴承滚动体。 | ||
搜索关键词: | 一种 致密 复合 陶瓷球 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高致密度复合陶瓷球的制备方法,其特征在于:包括陶瓷原料制备、制坯成形、烧结和研磨抛光的步骤,按下述工艺步骤进行:①陶瓷原料制备:将经干燥后的陶瓷原料按比例混合均匀,过筛,将过筛后的粉料置于球磨机中球磨;②压制成形:将步骤①所得粉料置于磨具中,采用冷等静压的方法压制成球形;③烧结:氮气气氛中,将粉料置于模具中,在1500℃~1750℃保温2h~6h,停止加热后随炉冷却至室温;④研磨抛光:将所得陶瓷球进行研磨和抛光;其中,步骤①中所述陶瓷原料,按质量百分比,由下述组分组成:![]()
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