[发明专利]一种具有空穴传输层的高分子发光二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种高分子发光二极管的制造方法，该方法制备工艺简单、成本低且制得的发光二极管发光效率高。本发明的高分子发光二极管的制造方法包括依次制备衬底、阳极、空穴传输层、高分子发光层和阴极。本发明的发光二极管采用的高分子发光层作为高效的发光聚合物，发光二极管的发光性能得到显著提高；制备工艺简单，制作成本低；适合于制备柔性显示屏的阴极。

主权项

1.一种高分子发光二极管的制造方法，包括依次制备衬底、阳极、空穴传输层、高分子发光层和阴极，其特征在于，制备所述高分子发光层的方法包括以下步骤：(1)式(II)的聚合物在碱性环境下与巯基乙酸甲酯发生环化反应生成式(III)的聚合物(2)式(III)的聚合物与酰卤缩合形成式(IV)的聚合物(3)式(IV)的聚合物经碱去质子化后与碘代物反应得到式(V)的聚合物(4)由(V)的聚合物经Suzuki偶联反应后用强碱皂化得到式(I)的聚合物作为高分子发光层其中，R₁选自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C6-C14芳基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基；R₂选自氢，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基；R₃选自氢，卤素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；R₄选自氢，卤素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；R₅选自氢，卤素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；R₆选自氢，卤素，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C6-C14芳基，C5-C14杂芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14杂芳基烷基，C3-C12杂环，C3-C7环烷基或C3-C7环烯基；A选自-NR_jSO₂R_k，-OR_n，-NR_oSO₂NR_pR_q；B选自-CO-，-SO₂-；R₁、R₆非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代：卤素，硝基，-NR_aR_b，-SO₂R_c，-SO₂NR_dR_e，-CONR_fR_g，-NR_hCOR_i，-NR_jSO₂R_k，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR_l；R₂非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代：卤素或-OR_m；上述中，R_a，R_b，R_c，R_d，R_e，R_f，R_g，R_h，R_i，R_j，R_k，R_l，R_n，R_o，R_p，R_q独立地选自氢或C1-C6烷基或C6-C14芳基；R_m独立地选自氢或C1-C6烷基。