[发明专利]一种逆导型IGBT器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210500942.7 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855198A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军;田晓丽;胡爱斌;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种逆导型IGBT器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底下表面内的集电极，所述集电极包括并列设置的集电区和短路区；形成于所述集电极表面的铝金属层，所述铝金属层至少覆盖所述集电区；形成于所述铝金属层表面的钛金属层，所述钛金属层完全覆盖所述集电区和短路区，从而使得所述集电区与其表面的金属层之间形成良好的欧姆接触，且所述短路区与其表面的金属层之间形成良好的欧姆接触，进而降低所述集电极与其表面金属层的接触电阻，提高所述逆导型IGBT器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种逆导型IGBT器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底下表面内的集电极，所述集电极包括并列设置的集电区和短路区；形成于所述集电极表面的铝金属层，所述铝金属层至少覆盖所述集电区；形成于所述铝金属层表面的钛金属层，所述钛金属层完全覆盖所述集电区和短路区。
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