[发明专利]优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法有效
| 申请号： | 201210501020.8 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102983096A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 许进;王国兵;唐在峰;吕煜坤;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，该方法通过先调整刻蚀时间以获得不同刻蚀时间下的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽，并进行顶部圆化弧度测量，建立浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系；然后根据器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的趋势，得到不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度；最后，根据不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度以及浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系，计算并调节刻蚀时间，以精确控制并稳定器件的浅沟槽顶部圆化弧度。从而改变了以往只能粗略评估浅槽隔离顶部形貌的缺点，实现了精确控制在线制品的形貌和最终的电性，大大提高浅槽隔离开发效率和产品良率的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 隔离 刻蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：在对浅槽隔离进行顶部刻蚀时，调整刻蚀时间以获得不同刻蚀时间下的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽；对不同刻蚀时间下得到的不同顶部圆化弧度形貌的浅沟槽进行顶部圆化弧度测量，建立浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系；根据器件的电性规格与浅沟槽顶部圆化弧度之间的趋势，得到不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度；根据不同电性规格的器件实际对应的浅沟槽顶部圆化弧度以及浅沟槽顶部圆化弧度与刻蚀时间之间的对应关系，计算并调节刻蚀时间，以精确控制并稳定器件的浅沟槽顶部圆化弧度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210501020.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
