[发明专利]一种修饰石墨烯薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210501642.0 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103848416A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈志蓥;于广辉;王斌;张燕辉;王彬;赵智德;吴渊文;张浩然 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种修饰石墨烯薄膜的方法，先利用在石墨烯薄膜的晶畴边界和缺陷处暴露的金属衬底对金属离子溶液中的金属离子进行还原，生成金属纳米粒子，对石墨烯薄膜实现选择性掺杂修饰；再通过腐蚀和转移工艺对掺杂修饰好的石墨烯薄膜实现转移。本发明利用石墨烯薄膜生长的金属衬底材料作为还原剂对溶液中的金属离子进行还原，而不需要引入新的还原剂，在实现了选择性掺杂修饰石墨烯薄膜的同时，避免了金属纳米粒子在完整石墨烯薄膜表面的沉积。本发明重复性高、简单易行，可以大批量修饰石墨烯薄膜；本发明能够准确标定石墨烯连续膜中单晶畴的形状和尺寸，并能通过改变金属离子溶液浓度及其与金属衬底的接触时间定性提高石墨烯薄膜的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 修饰 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种修饰石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：1）将金属离子溶液与形成在金属衬底上的石墨烯薄膜接触，接着吹干所述石墨烯薄膜及金属衬底，得到形成在金属衬底上并经过修饰的石墨烯薄膜；2）在步骤1）之后获得的石墨烯薄膜上形成有机胶层；3）利用腐蚀液去除所述金属衬底，得到有机胶层及经过修饰的石墨烯薄膜的结合体；4）将所述结合体转移至目标衬底上，而后去除所述有机胶层，得到形成在目标衬底上的并经过修饰的石墨烯薄膜。
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