[发明专利]一种逆导型IGBT器件有效
| 申请号： | 201210501722.6 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103855199A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军;田晓丽;卢烁今;胡爱斌 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种逆导型IGBT器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底内的缓冲层；形成于所述缓冲层内的绝缘结构；形成于所述缓冲层表面的集电极结构，所述集电极结构包括集电区和短路区；其中，所述集电区和短路区的掺杂类型不同，且分别位于所述绝缘结构两侧，从而使得所述绝缘结构将所述集电区与所述短路区的电势在一定程度上进行隔离，进而使得所述逆导型RC-IGBT器件以更小的电流进入传统IGBT模式，解决了现有技术中RC-IGBT器件工作时的电流回跳现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 器件 | ||
【主权项】：
一种逆导型IGBT器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底内的缓冲层；形成于所述缓冲层内的绝缘结构；形成于所述缓冲层表面的集电极结构，所述集电极结构包括集电区和短路区；其中，所述集电区和短路区的掺杂类型不同，且分别位于所述绝缘结构两侧。
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